一种填充金属的方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有层间介质层、以及位于所述层间介质层内的第一凹槽；在所述第一凹槽的底部和侧壁依次沉积阻挡层和覆盖所述阻挡层的籽晶层，形成第二凹槽；通过离子液体电沉积工艺在所述第二凹槽内沉积金属材料，至填满第二凹槽，形成金属层。本发明填充金属的方法通过离子液体电沉积工艺在沟槽中填充金属材料，形成金属层，所形成金属层的致密性好，能够有效避免金属层中金属原子扩散，提高了包含所形成金属层的半导体器件的性能，降低了工艺成本。