后金属层(16，31)具有多个应力释放空间(17)。每个应力释放空间(17)形成为至少在后金属层(16，31)的前表面和后表面的其中一个处敞开。将后金属层(16，31)中的位于半导体装置(12)正下方的区域限定为正下方区域(A1)，并且将正下方区域(A1)外侧的与正下方区域(A1)相对应并具有相同的尺寸的区域限定为对比区域(A21)。在正下方区域(A1)的范围中的应力释放空间(17)的体积小于形成在对比区域(A21)的范围中的应力释放空间(17)的体积。