本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法，其包括如下步骤：制备Mg_0.5Zn_0.5O靶材；将衬底放入腔体中，加热所述衬底至400℃～500℃，通入流量为10sccm～70sccm的氧气，使腔体压强在4～8Pa，然后采用所述Mg_0.5Zn_0.5O靶材，在所述衬底上进行脉冲沉积，获得所述立方结构MgZnO薄膜。该方法利用不同生长条件下沉积原子迁移能的不同，可以有效控制立方结构MgZnO薄膜的生长取向，为制备不同取向立方结构MgZnO多元合金薄膜提供了便捷有效的手段。