本发明提供一种用于对低介电常数材料层进行蚀刻后处理的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上提供有经蚀刻而具有第一沟槽的低介电常数材料层；以及使用Ar和He中的至少一种作为蚀刻气体执行第一蚀刻后处理，以使所述低介电常数材料层的表面致密化。该方法能够修复并减少低k介电层中的损伤（例如C耗尽层），以提高低k介电层对潮湿环境等的耐受能力，进而改善半导体器件的整体电学性能。此外，该方法还可以与传统CMOS制造工艺兼容，以降低制造成本。