本发明提供了一种鳍式双极结型晶体管及制造方法。根据一示例性实施方式，鳍式双极结型晶体管（BJT）包括宽集电极，其位于半导体衬底中。鳍式基极被置于宽集电极上方。此外，鳍式发射极和外延发射极被置于鳍式基极上方。鳍式BJT的窄基极-发射极结通过鳍式基极和鳍式发射极形成，以及外延发射极为鳍式BJT提供增强的电流传导性和减小的电阻。外延发射极可外延形成在鳍式发射极上，且可包括多晶硅。此外，鳍式基极和鳍式发射极各自可包括单晶硅。