本发明提供了一种闪速存储器器件和系统。一个闪速存储器器件包括n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（nMOSFET）、耦合到nMOSFET的硅-氧化物-氮化物-氧化物硅（SONOS）和耦合到nMOSFET和SONOS晶体管的被隔离的p-阱。闪速存储器系统包括被分为多个成对的扇区的存储器器件的阵列、耦合到所述多个扇区中的每一个的被配置为在擦除和编程操作期间向每个各自的扇区提供高电压的全局位线（GBL）、和被耦合在扇区各自的对之间的多个读出放大器。本发明还提供用于操作闪速存储器的方法。一个方法包括在擦除和编程操作期间经由GBL向成对的扇区提供高电压，以及在读取操作期间经由局部位线向每个存储器器件提供低电压。