本发明公开了一种沟槽栅型IGBT芯片制作方法，选取两块N型半导体衬底，将其中第一块进行氧化或沉积，在衬底的硅表面形成包括氧化硅或氮氧化物在内的绝缘材料；对衬底表面的绝缘材料进行光刻与刻蚀，形成介质埋层；对第二块N型半导体衬底进行光刻与刻蚀，形成与介质埋层凹凸面相吻合的图形；将介质埋层与图形进行凹凸面对接，在高温下将两块衬底键合成一块；根据耐压要求和加工余量，分别对两块衬底进行减薄处理，将介质埋层控制在设计深度，形成芯片制作中间体；完成沟槽栅型IGBT芯片的制作过程。本发明降低了芯片的导通压降，优化了与关断损耗的折中关系，实现了更低的功耗，从而提高了IGBT芯片的功率密度、工作结温和可靠性。