本发明涉及一种Si-B-C-N非晶陶瓷的化学气相沉积方法，将基底材料悬挂于真空炉配套试样架上，试样处于炉内等温区中心位置，采用CVD/CVI法在基底材料表面/内部制备均匀的Si-B-C-N非晶陶瓷。本发明制备的Si-B-C-N非晶陶瓷可应用于连续纤维增韧陶瓷基复合材料的界面、基体和涂层，具有高温稳定性好、抗氧化性能好、抗蠕变能力强、密度低、热膨胀系数低、导热系数低等优异性能，可替代SiC、Si₃N₄等材料，进一步提高热结构陶瓷及陶瓷基复合材料的使用温度和使用寿命，在航空发动机和工业燃气轮机等高温长寿命领域具有重大的应用潜力。同时Si-B-C-N非晶陶瓷还具有类似于半导体的电学性质和有趣的光学性质，在高温隐身、半导体、光电、通讯和控制等领域也有广泛用途。