本发明公开了改善厚膜混合集成电路同质键合系统质量一致性的方法，该方法在原有工艺的基础上，增加厚膜键合区表面整平工艺，具体是：选择贵金属抛光液，通过局部抛光机对每个键合区进行抛光，使其表面平整度≤0.1μm；然后用机械掩模方法，在高真空溅射台或蒸发台中，在键合区表面形成一层铝薄膜、或镍-铬-铝或铬-铜-铝复合薄膜；最后，按常规混合集成电路集成工艺，将半导体芯片和片式元器件集成在厚膜基片上，半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合，管脚与基片之间采用金丝键合，实现质量一致性好、可靠性高的金-金、铝-铝同质键合。此类器件应用领域广泛，特别适用于大功率、高可靠、宇航级等领域，具有广阔的市场前景和应用空间。