本发明提供一种可以在抑制半导体装置制造时的工序数增加的同时、防止半导体晶片所具有的低介电常数材料层的裂纹的保护层形成用薄膜。本发明的保护层形成用薄膜是用于在形成有低介电常数材料层的带有凸点的晶片上形成保护层的保护层形成用薄膜，将支撑基材、粘合剂层和热固性树脂层依次层叠，热固性树脂层的熔融粘度为1×10²Pa·S以上且小于2×10⁴Pa·S、并且粘合剂层的剪切弹性模量为1×10³Pa以上2×10⁶Pa以下的温度存在于50～120℃的温度范围内。