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静电防护器件及其制造工艺
编号:S000020779 刷新日期: 有效日期至:2020-11-01 浏览:2472 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本申请涉及半导体制造领域,公开了一种静电防护器件,包括可控硅器件、MOS管器件;所述可控硅器件与所述MOS管器件串联。本申请还公开了一种静电防护器件的制造工艺,包括在半导体基底上制成可控硅器件;在所述可控硅器件附近制成MOS管;将可控硅器件与MOS管器件串联。所述静电防护器件兼有可控硅极小寄生电容和MOS器件高维持电压的特点可应用在高压射频电子电路或器件的静电保护等方面。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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