本发明提供一种TFT阵列基板的制造方法，包括如下步骤：通过构图工艺在基板上分别形成包括金属氧化物半导体层、透明像素电极、源电极、漏电极、刻蚀阻挡层、栅电极、栅极扫描线、栅极绝缘层、数据扫描线以及接触过孔的图形，其中，所述金属氧化物半导体层和刻蚀阻挡层通过一次构图工艺形成，所述源电极、漏电极、透明像素电极以及数据扫描线通过一次构图工艺形成。该制造方法能够简化制作工艺，提高生产效率，降低生产成本，且提高了良品率。