本发明公开了一种阵列基板制作方法，涉及显示技术领域，包括以下步骤：S1：在基板上形成包括半导体层、栅绝缘层、栅极和栅线的图形；S2：在步骤S1之后的基板上，未被所述栅绝缘层覆盖的半导体层图形上形成金属扩散层，其它区域形成阻挡层；S3：在步骤S2之后的基板上形成钝化层；S4：在所述钝化层上形成过孔、源漏极、数据线和像素电极的图形，所述源漏极通过所述过孔连接所述金属扩散层。还公开了一种阵列基板和显示装置。本发明相对于传统的4次以上的mask制作工艺减少了工艺流程，降低了工艺成本。