本发明提供了一种像素结构及其制造方法、显示装置，所述方法包括：通过第一道掩模板工艺形成栅极线后，依次进行栅绝缘(GI)层、钝化(PVX)层的镀膜；通过第二道掩模板工艺，得到TFT漏极、像素电极和位于所述TFT漏极之上的半导体层；通过第三道掩模板工艺，得到TFT源极以及TFT源极和漏极之间的半导体沟道。本发明通过三道掩模板工艺即可制得需要的像素结构，并且在制造过程中未改变TFT的特性，实现工艺过程最简化，节省制造成本，有利于阵列基板的推广应用。