提供了一种半导体及其形成方法，该半导体包括衬底以及形成在衬底上的多个布线层和多个电介质层，布线层实现电路。电介质层将所述多个布线层中相邻的布线层隔开。第一钝化层形成在所述多个布线层上。第一接触焊盘形成在钝化层中，并且电耦合至电路。布线形成在钝化层上，并且连接至接触焊盘。贯穿硅通道(TSV)贯穿衬底、所述多个布线层、所述多个电介质层、以及钝化层而形成。TSV电连接至形成于钝化层上的布线。除了形成在钝化层上的金属布线所提供的连接以外，TSV与布线层电隔离。