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> 技术详情
一种GOI晶片结构的制备方法
编号:S000020760
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-31
浏览:
2414
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供一种GOI晶片结构的制备方法,该方法首先利用Smart-Cut技术制作出SGOI晶片结构,然后对SGOI晶片结构进行锗浓缩,从而得到GOI晶片结构。由于利用Smart-Cut技术制作的SGOI在SGOI/BOX界面基本不存在失配位错,从而最终降低了GOI的穿透位错。本发明工艺简单,可实现高质量GOI晶片结构,大大改进了锗浓缩技术,离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺,该制备方法大大提高了锗浓缩在半导体工业界广泛应用的可能性。
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