本发明公开了一种鳍型PIN二极管的制造方法，其特征在于：所述制造方法依次包括如下步骤：（1）准备衬底;（2）在该衬底上采用n型杂质对其进行高浓度掺杂，以形成N+掺杂区；（3）在N+掺杂区的表面上旋涂光刻胶，光刻后对其进行干法刻蚀，以形成倒T型的N+掺杂层；（4）在所述N+掺杂层的两侧横向表面上外延生长N-掺杂层；（5）在所述N-掺杂层的两侧表面上形成绝缘层；（6）在所述N-掺杂层上外延生长本征半导体层；（7）在所述本征半导体层上外延生长P-掺杂层；（8）在所述P-掺杂层上外延生长P+掺杂层。