揭露一种制作电性正确的集成电路的方法，依据实施例，该方法包含提供针对该半导体装置的逻辑设计、以及将该逻辑设计中的元件与元件图案库相比较。该元件图案库系通过识别具有偏离模型化性质的电性性质的布局图案，来加以推衍；该库也包含对该模型化性质偏离的定量测量。响应该比较并考量该定量测量，以决定该元件是否是该逻辑设计中所接受的。产生掩膜组，以使用该元件或修改的元件（如果该元件是不可接受的）来实作该逻辑设计，并且采用该掩膜组，以在半导体衬底中及上实作该逻辑设计。