本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，用以解决现有技术中存在的发光二极管芯片发光效率低的问题。上述发光二极管芯片包括：基底；PN结，其位于基底的一侧并包括P型半导体层和N型半导体层；P型电极、N型电极和电流扩散层，该P型电极、N型电极和电流扩散层位于上述PN结上；还包括：反射层，位于上述基底的另一侧；光栅，位于上述电流扩散层靠近PN结的一侧。采用本发明技术方案，制作工艺简单，通过改变发光二极管芯片内部光线的方向有效提高了发光二极管芯片的发光效率。