本发明公开了一种控制浅沟道绝缘层制程中衬底氧化层的均匀性的方法，其属于CMOS半导体器件工艺技术领域，步骤包括：在生长衬底氧化硅层的时候多生长一层薄膜层；对衬底氮化硅层进行去除；在衬底氮化硅层去除后量测衬底氧化硅层的厚度，称为前值；同时定一个目标值，目标值为理想状况下衬底氧化硅层的厚度取值；对每个批次的衬底氧化硅层定一个修正值，修正值的取值范围为前值和目标值的差值范围；然后按照修正值对衬底氧化硅层进行修正蚀刻；上述技术方案的有益效果是：改善了衬底氧化层厚度不均匀的问题，节省了半导体工艺的制作成本，缩短了产品的生产制造时间。