本发明提供了一种实现浅沟道隔离的工艺方法，包括：在半导体衬底上覆盖第一氧化层，并形成第一浅沟道隔离凹槽，沉积第一隔离层填充所述第一浅沟道隔离凹槽，对第一隔离层实施平坦化并且不露出第一氧化层，湿法刻蚀去除剩余的第一隔离层与第一氧化层，依次覆盖第二氧化层和氮化层，刻蚀所述氮化层形成第二浅沟道隔离凹槽。通过两次隔离材料的填充降低了凹槽深宽比，在相同的工艺条件下不需要引进新材料就可以提高浅沟道隔离凹槽的填充能力，同时采用的湿法刻蚀去除第一隔离层保证平坦度的同时避免了对半导体衬底可能的损伤。