本发明揭露一种制造主动阵列基板的方法与主动阵列基板。制造主动阵列基板的方法包括：形成第一图案化金属层于基材上；依序形成半导体层、绝缘层以及第二金属层覆盖第一图案化金属层；形成图案化光阻层于第二金属层上，图案化光阻层包含一第一区域以及一第二区域，且第一区域的图案化光阻层的厚度小于第二区域的图案化光阻层的厚度；图案化第二金属层及其下方的绝缘层和半导体层，并移除该第一区域的图案化光阻层；加热第二区域的图案化光阻层，使其流动而形成保护层；以及形成像素电极。