提供了用于在半导体衬底的上方形成光刻胶的系统和方法。一个实施例包括具有浓度梯度的光刻胶。可通过使用一系列干膜光刻胶来形成浓度梯度，其中，每个独立的干膜光刻胶均具有不同浓度。各个干膜光刻胶可以独立形成，然后在图样化之前被放置到半导体衬底上。一旦被图样化，穿过光刻胶的开口可具有楔形侧壁，从而允许晶种层更好的覆盖和更均匀的工艺来形成穿过光刻胶的导电材料。