本发明的目的在于提供一种晶圆内部具备空腔图案（3）的SOI晶圆，也就是在SOI晶圆上进行曝光时，能以低成本进行曝光掩模的位置对准的SOI晶圆。本发明的SOI晶圆具备：支承衬底（1）和形成于支承衬底（1）上的绝缘层（2），在形成有绝缘层（2）的支承衬底（1）的一个主面形成有规定的空腔图案（3），还具备：堵塞该空腔图案（3）并形成于绝缘层（2）上的活性半导体层（5），活性半导体层（5）未形成于支承衬底（1）的外周部，还具备：形成于支承衬底（1）的上述一个主面侧的上述外周部，并确定空腔图案（3）的位置的多个叠合标记图案（4）。