本发明的半导体光检测元件（10）将包含以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管（APD）、相对于各雪崩光电二极管（APD）串联连接的灭弧电阻（R1）、及并联连接有灭弧电阻（R1）的信号线（TL）的光电二极管阵列（PDA）作为一个信道且具有多个信道。搭载基板（20）与各信道对应的多个电极（E9）配置于主面（20a）侧，并且处理来自各信道的输出信号的信号处理部（SP）配置于主面（20b）侧。在半导体基板（1N）中，在各信道形成有与信号线（TL）电连接的贯通电极（TE）。贯通电极（TE）与电极（E9）经由凸块电极（BE）而电连接。