本发明公开了一种像素结构及其制造方法。像素结构包括一主动组件、一栅绝缘层、一介电绝缘层、一电容电极、一保护层以及一像素电极。主动元件包括一栅极、一半导体通道层、一源极以及一汲极。介电绝缘层覆盖住半导体通道层，其中介电绝缘层的介电系数高于栅绝缘层的介电系数。电容电极重迭于漏极以使电容电极、漏极以及夹于两者间的介电绝缘层构成一储存电容结构。保护层配置于介电绝缘层上并且电容电极位于保护层与介电绝缘层之间。像素电极配置于保护层上并连接于主动元件的漏极。本发明的像素结构不需大面积的电容电极就具有足够的储存电容值，而有助于提升像素结构的显示开口率。