本发明涉及一种立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法，立式炉用于对晶舟中的晶圆进行半导体工艺，其包括反应腔和炉门，装载区位于立式炉下方，其包括一冷却区，晶舟下方设有一保温桶用于防止工艺中的热量流失，该方法包括如下步骤：将晶舟与保温桶以第M降舟速度从立式炉中降低第M降舟距离，以使刚卸载出反应腔的晶舟部分和/或保温桶部分处于炉门附近的冷却区，并保持第M时长；其中，M为大于等于1的正整数；M递增1，重复进行上一步骤；直至晶舟与保温桶降低至工艺原点。该方法有效减少了颗粒粘附、防止了对晶圆的污染，实施简单、成本低，便于在半导体行业领域内推广应用。