本发明在此揭露一种阵列基板及其制造方法。此制造方法包括下列步骤。提供一基材。在基材上形成源极以及漏极。依序形成半导体层、有机绝缘层以与栅极层来覆盖基材、源极及漏极。在栅极层上形成图案化光阻层。移除暴露出的栅极层及其下方的有机绝缘层与半导体层，以形成栅极。在栅极、源极及漏极上形成有机保护层，其中有机保护层具有接触窗以露出部分的漏极。在有机保护层以及露出部分的漏极上形成像素电极。