一种制造氮化物渐变能隙谐振隧穿欧姆接触的方法。本发明是一种衬底1上依次生长AlGaN/GaN异质结构2、AlGaN渐变能隙过渡层3和重掺杂GaN帽层4制造欧姆接触的方法；重掺杂GaN帽层4降低了金属－半导体接触势垒；渐变能隙过渡层3构成中间阱通过谐振隧穿降低欧姆接触电阻。本发明通过渐变能隙中间阱设计把高温合金工艺产生的金属－半导体接触势垒和异质结势垒分开，分别优化设计双垒单阱异质结构的能带，显著增大隧穿电流，降低欧姆接触。同时还由重掺杂GaN帽层设计省去了高温合金工艺，改善了接触的表面形貌、器件性能和可靠性。