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光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法
编号:S000020659 刷新日期: 有效日期至:2020-12-13 浏览:2475 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 吉林 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法,属于量子信息学领域,为解决单量子点微腔的单光子源存在的问题,在衬底上依次生长缓冲层、下布拉格反射镜、光学缺陷层和上布拉格反射镜,上电极接触层生长在上布拉格反射镜上面周边区域,下电极接触层生长在衬底下面;表面横向二维光子晶体结构由微纳加工制成的空气孔洞-半导体构成,内部横向谐振腔光学尺度为量子环的增益波长的一半,横向二维光子晶体谐振腔模式波长与量子环的增益波长匹配;所述量子环位于光学缺陷层中间,并且位于上布拉格反射镜、下布拉格反射镜和横向二维光子晶体结构构成的三维纳腔中心;采用量子环作为发光介质,量子效率更高;量子环材料可以覆盖量子点无法覆盖的波段。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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