本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种适用于脉冲功率应用的绝缘栅双极型晶体管。本发明的一种宽元胞绝缘栅双极型晶体管，其元胞结构包括由阳极9与阳极区5组成的阳极结构、位于阳极区5上的N型漂移区4和位于N型漂移区4上的栅极7与阴极8，所述N型漂移区4中设置有P型基区3，所述P型基区3中设置有N型源区1和P型阴极区2，其特征在于，所述N型源区1的宽度为50～200μm，所述P型基区3的掺杂浓度为1×10¹³～8×10¹³cm^-2。本发明的有益效果为，提供了具有高峰值电流能力和高电流增长能力的WC-IGBT器件，解决了IGBT不能很好适应于脉冲功率应用领域的问题。本发明尤其适用于脉冲功率应用的绝缘栅双极型晶体管。