本发明涉及半导体技术领域，更具体地涉及一种渐变AlGaN层的制备方法及采用该方法得到的器件。在生长渐变AlGaN层时，通入反应室的三甲基铝流量逐渐减少，三甲基镓流量逐渐增加；三甲基铝流量的函数为：y_TMAl=a-bx^m或y_TMAl=a(1-x)^m+b；三甲基镓流量的函数为：y_TMGa=cxⁿ+d或y_TMGa=c-d(1-x)ⁿ；x为渐变AlGaN层生长的归一化时间，m、n不同时为1。本发明利用不同的流量函数，改变TMAl和TMGa在不同流量时的变化率。从而能够有效地控制铝组分在渐变AlGaN层中的分布，进而调控其上生长的GaN薄膜的应力和晶体质量，生长出高晶体质量且不龟裂的厚GaN薄膜。