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一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法
编号:S000020632 刷新日期: 有效日期至:2020-10-01 浏览:2436 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 黑龙江 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供的是一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法。包括底层半导体衬底(1),隐埋SiO2层(2),顶层硅膜(3),栅氧化层(4),多晶硅栅(5);其特征是:通过离子注入在顶层硅膜(3)表面和内部形成源端(A)和漏端(B);在源端(A)一侧靠近边缘的顶层硅膜(3)和源端(A)之间刻蚀出直至隐埋SiO2层(2)的纵向沟槽(7),对源端(A)下方和保留的顶层硅膜(3a)下方的隐埋SiO2层(2)进行刻蚀,形成从保留的顶层硅膜(3a)下方经过源端(A)下方到中性体区的横向沟槽(8)。本发明提供一种减少工艺步骤,提高器件的可靠性的利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构的形成方法。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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