本发明提供的是一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法。包括底层半导体衬底（1），隐埋SiO₂层（2），顶层硅膜（3），栅氧化层（4），多晶硅栅（5）；其特征是：通过离子注入在顶层硅膜（3）表面和内部形成源端（A）和漏端（B）；在源端（A）一侧靠近边缘的顶层硅膜（3）和源端（A）之间刻蚀出直至隐埋SiO₂层（2）的纵向沟槽（7），对源端（A）下方和保留的顶层硅膜（3a）下方的隐埋SiO₂层（2）进行刻蚀，形成从保留的顶层硅膜（3a）下方经过源端（A）下方到中性体区的横向沟槽（8）。本发明提供一种减少工艺步骤，提高器件的可靠性的利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构的形成方法。