具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于常规IGBT结构，通过将发射区的纯硅材料变为组分渐变的混合晶体，形成禁带宽度缓变的发射区能带结构。该能带结构在不降低发射区与基区所形成PN结的内建电势的前提下，在发射区内形成发射区少子的加速电场，从而使发射区的少子扩散电流密度增加，基区向发射区的注入增强；而另一方面，发射区向基区的注入保持不变。因此，发射区、基区和漂移区构成的寄生晶体管的发射结注入效率降低，电流放大系数降低，使IGBT中的寄生晶闸管更难达到闩锁条件，这就提高了IGBT的临界闩锁电流，增加了IGBT的安全工作区，提高了IGBT的可靠性。