本发明用于半导体光电子信息技术领域，具体涉及一种基于微动元调制GaN HEMT沟道电流的红外探测器。其特征在于：所述探测器的结构依次包括：GaN/AlGaN HEMT器件，微动元件，光波吸收辅助层，充气腔，衬底，吸收光波气体，窗口层；微动元件与HEMT沟道连接，充气腔内的吸收光波气体和光波吸收辅助层吸收光波后，发生形变，推动微动元件位移，微动元件的位移诱导GaN HEMT沟道电流变化，使光波信号转变成电信号被探测。本发明实现GaN基力-电耦合红外探测器的高灵敏性和高可靠性。