本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备金属掩模版氮化钛的磁控溅射腔体的真空系统。本发明提出一种制备金属掩模版氮化钛的磁控溅射腔体的真空系统，通过在现有技术中反应腔室外接的低温泵上并联一个分子泵，以满足进行溅射工艺时，预抽真空阶段和工艺阶段时对反应腔室内的压力及气体流量的不同要求，同时又使得低温泵和真空泵均工作在其额定的范围内，以便应用于量产。