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一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法
编号:S000020618 刷新日期: 有效日期至:2020-12-13 浏览:3955 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法。本发明一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法,通过对等离子体氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀工艺的改进,采用稀氢氟酸湿法刻蚀非等离子体的氧化硅刻蚀工艺,并将其整合到刻蚀后的聚合物清洗工艺中,即在湿法清洗酸槽中增加DHF槽,从而达到在不增加工艺机台和步骤的情况下,实现无等离子体损伤,及氧化硅对硅高刻蚀选择比的刻蚀工艺,从而减少硅衬底的刻蚀损失。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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