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> 技术详情
一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法
编号:S000020618
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-13
浏览:
4550
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法。本发明一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法,通过对等离子体氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀工艺的改进,采用稀氢氟酸湿法刻蚀非等离子体的氧化硅刻蚀工艺,并将其整合到刻蚀后的聚合物清洗工艺中,即在湿法清洗酸槽中增加DHF槽,从而达到在不增加工艺机台和步骤的情况下,实现无等离子体损伤,及氧化硅对硅高刻蚀选择比的刻蚀工艺,从而减少硅衬底的刻蚀损失。
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