本发明涉及一种N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途。所述共轭聚合物的结构式如下：其中，R为C₆～C₂₉烷基，n≥1。本发明还涉及所述N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管器件中的用途。本发明的N-酰基取代的苯并吡咯二酮基的共轭聚合物具有大π共轭的可溶性的苯并吡咯二酮单元和柔性促溶的酰基化侧链，是主链共轭的可溶液加工的低LUMO（最低未占有轨道）能级的低能隙聚合物；薄膜场效应晶体管器件研究表明这类材料具有薄膜场效应晶体管器件的应用潜力。