本发明涉及一种圆片级LED封装方法，属于半导体封装技术领域。其结构包括LED芯片（100）、带有硅基型腔（210）的硅本体（200）、绝缘层（211）、金属反射层（212）、设置在硅本体（200）上方的玻璃（300）和设置在硅基型腔（210）下方的若干个硅通孔（220），所述LED芯片（100）通过左导电电极（601）和右导电电极（602）倒装在硅基型腔（210）内，所述硅通孔（220）的侧壁和硅本体（200）的下表面沉积绝缘保护层（221）、再在绝缘保护层（221）上用溅射、光刻和电镀的方法形成金属线路层（222），光刻形成的线路表面保护层（223）露出金属线路层（222）的两侧，用于涂覆焊膏或植球。本发明提供了一种热阻低、散热性能好、提升出光效率和发光均匀性的圆片级LED封装方法。