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淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法
编号:S000020603 刷新日期: 有效日期至:2020-12-28 浏览:3186 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法,属于半导体器件领域。该方法具体包括:在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后,对高K栅介质进行氟等离子体处理,并在处理过程中施加引导电场,电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5~50eV,氟等离子体漂移到栅介质中,高K介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01~0.15∶1。本发明提高了栅介质质量和钝化缺陷效率,减小界面态密度,实现了锗基和三五族化合物基MOS器件性能地提高。
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