本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法。本发明提出的原位沉积系统包括沉积系统，进气、排气系统，管路控制系统，等离子体发生系统等。本发明所提出的采用原位沉积的铜互连流程包括：刻蚀出需要沉积的沟槽；转移到原位沉积腔后顺次通入五（二甲胺基）钽和含氮等离子体进行氮化钽扩散阻挡层的沉积；原位顺次通入二（六氟乙酰丙酮）化铜和二乙基锌进行铜籽晶层的沉积；取出硅片进行电化学沉积铜；化学机械抛光去除多余的铜。