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> 技术详情
一种低K介质层及其形成方法
编号：S000020589
刷新日期：
有效日期至：
2020-11-27
浏览：
2486
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 -
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
合作研发
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
本发明提供了一种低K介质层及其形成方法，通过对低K介质材料层进行处理，以得到疏水性的低K介质层，从而避免了所形成的低K介质层易于吸收水分的问题，保证了互连层之间较低的电容，提高了半导体电路的性能。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式：
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