本发明涉及半导体制造领域，确切的说，具体涉及一种制备铜种子层的方法。本发明在使用传统工艺中制备完成铜种子层后，继续进行一除气工艺，可使通孔处沉积的铜流入通孔底部，然后再沉积一较薄的铜种子层，从而降低填充的深宽比，进而提高填充种子层底部的覆盖性，减少后续铜电镀时出现孔隙的几率，进而提高产品性能和良率。