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CMOS图像传感器及其制造方法
编号:S000020567 刷新日期: 有效日期至:2020-10-14 浏览:2443 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器,包括:半导体基片,包括第一有源区,其中,所述第一有源区中包括光电二极管,晶体管,以及第二有源区,其中,所述第二有源区邻近所述光电二极管的阱,并且具有与所述光电二极管的阱相同的导电类型,所述第二有源区连接到参考电位,其中,所述第二有源区和所述光电二极管的阱通过一次离子注入形成。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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