本发明涉及用于沟槽器件的集成的栅流道和场植入终端。在一个通常的方面，装置可以包括形成在基板的外延层内的多个沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件以及布置在多个沟槽MOSFET器件周围并且布置在外延层内的栅流道沟槽。该装置还可以包括通过阱植入部的限定并且布置在栅流道沟槽周围的漂浮场植入部。