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一种具有P型辅助埋层的半超结VDMOS
编号:S000020550 刷新日期: 有效日期至:2020-09-30 浏览:2293 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 四川 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种具有P型辅助埋层的半超结VDMOS。本发明的具有P型辅助埋层的半超结VDMOS,其特征在于,在N型底部辅助层4中设有P型辅助埋层3,所述P型辅助埋层3与N+衬底2的上端面连接。本发明的有益效果为,有效增大器件的耐压性能,同时不影响其他性能参数。本发明尤其适用于半超结VDMOS。
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