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> 技术详情
一种具有P型辅助埋层的半超结VDMOS
编号:S000020550
刷新日期:
有效日期至:
2020-09-30
浏览:
2293
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 四川
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种具有P型辅助埋层的半超结VDMOS。本发明的具有P型辅助埋层的半超结VDMOS,其特征在于,在N型底部辅助层4中设有P型辅助埋层3,所述P型辅助埋层3与N
+
衬底2的上端面连接。本发明的有益效果为,有效增大器件的耐压性能,同时不影响其他性能参数。本发明尤其适用于半超结VDMOS。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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