本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种具有P型辅助埋层的半超结VDMOS。本发明的具有P型辅助埋层的半超结VDMOS，其特征在于，在N型底部辅助层4中设有P型辅助埋层3，所述P型辅助埋层3与N⁺衬底2的上端面连接。本发明的有益效果为，有效增大器件的耐压性能，同时不影响其他性能参数。本发明尤其适用于半超结VDMOS。