本公开内容提供在半导体衬底中形成的集成电路。集成电路包括：具有第一单元尺寸的第一静态随机存取存储器(SRAM)单元；以及具有大于第一单元尺寸的第二单元尺寸的第二SRAM单元。第一SRMA单元包括第一n型场效应晶体管(nFET)，每一个都具有第一栅叠层。第二SRAM单元包括第二nFET，每一个都具有不同于第一栅叠层的第二栅叠层。本发明还提供了用于SRAM电路的结构和方法。