本发明提供一种光刻版以及该光刻版的曝光方法。所述光刻版包括主管芯区、附加管芯区以及两者之间的禁止区域，所述主管芯区内包括以矩阵式排列的多个主管芯，所述附加管芯区内包括以矩阵式排列的多个附加管芯和至少一个对位标记，所述附加管芯和所述对位标记与所述主管芯对齐。根据本发明的光刻版将曝光区域设置为包括主管芯区和附加管芯区，并且在附加管芯区内通过牺牲附加管芯的位置来设置对位标记，因此可以在保证对位标记的尺寸的前提下，减小划片槽的宽度，增大曝光区域内有效管芯的数量。此外，通过在半导体晶片上仅设置若干个对位标记就可以完成整个半导体晶片的对准，因此可以增大整个半导体晶片的有效面积。