本发明提供一种用于相变随机存取存储器的底部电接触结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一金属电极；在所述层间介质层上形成一氧化物层，其覆盖所述第一金属电极上端的一部分；在所述半导体衬底上依次形成一导电材料层和一薄层氧化物；采用侧壁蚀刻工艺蚀刻所述薄层氧化物和导电材料层；沉积所述氧化物层，并研磨所述氧化物层；执行一光刻过程以定义所述导电材料层的图形；执行一各向异性的蚀刻过程；回蚀刻所述导电材料层；在所述导电材料层和所述氧化物层上依次形成一相变材料层和一第二金属电极。根据本发明，可以使形成的所述底部电接触结构的特征尺寸满足设计要求，不受制造工艺边际的影响。