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浅沟槽隔离结构的制作方法
编号:S000020521 刷新日期: 有效日期至:2020-12-04 浏览:2187 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法,包括:在半导体衬底上依次形成氧化层和刻蚀阻挡层;刻蚀形成沟槽;沉积掺碳氮化硅材质的衬垫层覆盖所述沟槽的底面和侧壁;进行热氧化工艺和退火工艺;沉积隔离材料填充所述沟槽;进行化学机械研磨;刻蚀去除浅沟槽外的衬垫层、所述刻蚀阻挡层、所述氧化层以及部分隔离材料,形成浅沟槽隔离结构。通过在刻蚀形成沟槽后,覆盖掺碳氮化硅材质的衬垫层,进行热氧化工艺和退火工艺,使掺碳氮化硅中部分氮化硅变为氮氧化硅,且掺碳氮化硅中的碳进入衬垫层与沟槽相接界面处,从而抑制硼掺杂的扩散进入浅沟槽隔离结构,避免掺杂区中硼掺杂浓度的减少,从而保护半导体器件的掺杂区浓度,提高半导体器件的性能。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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